艾瑞森表面技术(苏州)股份有限公司蒋岩获国家专利权
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龙图腾网获悉艾瑞森表面技术(苏州)股份有限公司申请的专利TGV金属化中金属种子层的沉积方法及磁控溅射设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121575364B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610100015.8，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权TGV金属化中金属种子层的沉积方法及磁控溅射设备是由蒋岩;毛昌海;帅小锋设计研发完成，并于2026-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本TGV金属化中金属种子层的沉积方法及磁控溅射设备在说明书摘要公布了：本发明属于镀膜玻璃技术领域，具体提供了一种TGV金属化中金属种子层的沉积方法及磁控溅射设备。其旨在解决现有TGV金属化工艺中金属膜与玻璃基板之间的附着力低、通孔内的金属覆盖率和台阶率低以及玻璃表面积累电荷高导致表面放电现象严重的问题。本发明通过引入独立可控的离子源辅助沉积，在沉积金属膜的不同阶段，开启离子源，利用离子源产生的定向、高能量的正离子流轰击所述玻璃基板表面，以辅助磁控溅射过程，通过浅离子注入、增强沉积金属原子的表面迁移能、中和玻璃表面积累的负电荷，来改善金属与玻璃基板之间的附着力、提高通孔内的金属覆盖率和台阶率、以及抑制表面放电发生，从而提升工艺稳定性。
本发明授权TGV金属化中金属种子层的沉积方法及磁控溅射设备在权利要求书中公布了：1.一种TGV金属化中金属种子层的沉积方法，其特征在于，包括： 将带通孔的玻璃基板置于真空环境中，采用磁控溅射在所述玻璃基板表面及所述通孔内沉积金属膜，以在整个所述玻璃基板表面形成金属种子层； 其中，在沉积所述金属膜之前，开启独立的离子源，持续对所述玻璃基板表面进行界面强化浅层离子注入；在沉积所述金属膜的过程中，间歇性地开启独立的所述离子源，利用所述离子源产生的定向、高能量的正离子流轰击所述玻璃基板表面，以辅助所述磁控溅射过程，实现以下至少一个目的： 提高所述金属膜与所述玻璃基板之间的附着力； 增强沉积金属原子的表面迁移能力，改善所述通孔内的金属覆盖率和台阶率； 中和玻璃表面积累的电荷，抑制表面放电。
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