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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利环绕式栅极晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121568400B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610091098.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权环绕式栅极晶体管及其制备方法是由刘洋;马梦辉;李琦琦;李婷;祝君龙设计研发完成，并于2026-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本环绕式栅极晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种环绕式栅极晶体管及其制备方法，属于半导体领域。该制备方法包括：提供衬底，于衬底内形成第一阱区；于第一阱区上形成隔离层；对隔离层进行图案化处理，露出部分第一阱区，作为漏极制备区；并在漏极制备区形成漏极；于漏极表面形成氧化层，氧化层周围具有与漏极相连的第二阱区制备区；于第二阱区制备区形成包围氧化层的第二阱区，且第二阱区与漏极接触；形成位于隔离层上的栅极结构，栅极结构包括栅极和栅绝缘层，栅绝缘层环绕第二阱区；栅极环绕栅绝缘层；形成绝缘层，绝缘层覆盖栅极结构和第二阱区；将氧化层顶部的第二阱区转换为源极。通过该制备工艺可以制备得到具有环绕式栅极的晶体管，提升栅极对导电沟道的控制能力。

本发明授权环绕式栅极晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种环绕式栅极晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，于衬底内形成第一阱区； 于第一阱区上形成隔离层； 对隔离层进行图案化处理，露出部分第一阱区，作为漏极制备区；并在漏极制备区形成漏极； 于漏极表面形成氧化层，所述氧化层周围具有与漏极相连的第二阱区制备区； 于第二阱区制备区形成包围氧化层的第二阱区，且所述第二阱区与漏极接触； 形成位于隔离层上的栅极结构，所述栅极结构包括栅极和栅绝缘层，所述栅绝缘层环绕所述第二阱区；所述栅极环绕所述栅绝缘层； 形成绝缘层，绝缘层覆盖栅极结构和第二阱区； 将氧化层顶部的第二阱区转换为源极； 对隔离层进行图案化处理，露出部分第一阱区，作为漏极制备区；并在漏极制备区形成漏极的步骤包括： 在隔离层上形成具有刻蚀窗口的第一阻挡层； 在第一阻挡层的刻蚀阻挡作用下，去除刻蚀窗口底部的隔离层，露出第一阱区； 在第一阻挡层的离子阻挡作用下，对刻蚀窗口底部的第一阱区进行离子注入，形成漏极； 于漏极表面形成氧化层的步骤包括： 在第一阻挡层的阻挡作用下，采用选择性沉积工艺，在漏极表面外延得到硅材料层； 对硅材料层进行湿法刻蚀，形成底部与漏极相连且环绕硅材料层的第二阱区制备区； 将硅材料层的内部氧化，于硅材料层内部形成氧化层。

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