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龙图腾网获悉深圳市章阁仪器有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121568388B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610099960.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由高勇强;郭帅;吴庆仁设计研发完成，并于2026-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：进行多次堆叠处理；堆叠处理包括：形成沿纵向交替层叠的第一层叠材料层和第二层叠材料层构成的子叠层结构；形成贯穿子叠层结构的子通孔；在相邻堆叠处理之间，填充子通孔形成第一牺牲层；去除第一牺牲层，形成由多个子通孔连通的通孔；其中，通过控制每个子叠层结构中的第二层叠材料层的厚度不同；或，在填充子通孔形成第一牺牲层步骤之前，通过在子通孔暴露出的子叠层结构的侧壁上形成侧壁保护层，使形成的通孔露出的每层第二层叠材料层的表面积之间的差值比大于或等于0且小于或等于5%。本公开有利于提高堆叠结构构成的存储器的存储性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 在半导体衬底上沿纵向进行多次堆叠处理，形成堆叠结构，所述半导体衬底包括刻蚀停止结构；其中，所述堆叠处理包括：形成沿纵向交替层叠的第一层叠材料层和第二层叠材料层构成的子叠层结构，所述第一层叠材料层用于隔离纵向相邻的第二层叠材料层，所述第二层叠材料层用于形成电容板，所述子叠层结构中的所有第一层叠材料层的厚度相同，所述子叠层结构中的所有第二层叠材料层的厚度相同；形成贯穿所述子叠层结构的子通孔，所述子通孔在水平面上的投影位于所述刻蚀停止结构在水平面上的投影内，第一次所述堆叠处理后形成的子通孔暴露出所述刻蚀停止结构； 在相邻两次所述堆叠处理之间，填充所述子通孔形成第一牺牲层；其中，后一次所述堆叠处理形成的子通孔露出前一次所述堆叠处理形成的子通孔中的第一牺牲层，前一次所述堆叠处理形成的子通孔中的第一牺牲层作为后一次所述堆叠处理形成子通孔的刻蚀停止层； 去除所述第一牺牲层，形成由多个所述子通孔连通且暴露出所述刻蚀停止结构的通孔，所述通孔露出的每层第二层叠材料层的表面积之间的差值比大于或等于0且小于或等于5%； 其中，通过控制不同的所述子叠层结构中的第二层叠材料层的厚度不同，使形成的所述通孔露出的每层第二层叠材料层的表面积之间的差值比大于或等于0且小于或等于5%；或，在所述填充所述子通孔形成第一牺牲层步骤之前，通过在子通孔暴露出的所述子叠层结构的侧壁上形成侧壁保护层，使形成的所述通孔露出的每层第二层叠材料层的表面积之间的差值比大于或等于0且小于或等于5%。

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