浙江晶科能源有限公司冯廿军获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶科能源有限公司申请的专利背接触电池的制备方法、背接触电池和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121548136B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610079119.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权背接触电池的制备方法、背接触电池和光伏组件是由冯廿军;冯修;徐孟雷;郑丽花;杨洁;张昕宇设计研发完成，并于2026-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本背接触电池的制备方法、背接触电池和光伏组件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种背接触电池的制备方法、背接触电池和光伏组件。背接触电池的制备方法包括：提供硅基底，硅基底包括沿其厚度方向相对设置的第一面和第二面，在第一面形成第一纹理结构，对硅基底进行第一扩散处理，在硅基底的第一面形成具有第一导电类型的第一扩散区以及覆盖第一扩散区的第一硅玻璃层，去除第一面的第一区的部分第一硅玻璃层，以使第一区的第一硅玻璃层厚度小于第一面的第二区的第一硅玻璃层的厚度；去除第一区的第一硅玻璃层和第一扩散区，暴露出第一区的硅基底，并减薄第二区的第一硅玻璃层的厚度；在第一区形成半导体掺杂层，简化了工艺流程，节约了成本。
本发明授权背接触电池的制备方法、背接触电池和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池的制备方法，其特征在于，所述背接触电池的制备方法包括： 提供硅基底，所述硅基底包括沿其厚度方向相对设置的第一面和第二面，在所述第一面形成第一纹理结构； 对所述硅基底进行第一扩散处理，在所述硅基底的第一面形成具有第一导电类型的第一扩散区以及覆盖所述第一扩散区的第一硅玻璃层； 去除所述第一面的第一区的部分所述第一硅玻璃层，以使所述第一区的所述第一硅玻璃层厚度小于所述第一面的第二区的所述第一硅玻璃层的厚度； 去除所述第一区的所述第一硅玻璃层和所述第一扩散区，暴露出所述第一区的所述硅基底，并减薄所述第二区的所述第一硅玻璃层的厚度； 在所述第一区形成半导体掺杂层。
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