安徽大学李志刚获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利基于噪声循环结构的K波段压控振荡器、锁相环与芯片获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121530319B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610049768.0,技术领域涉及:H03B5/12;该发明授权基于噪声循环结构的K波段压控振荡器、锁相环与芯片是由李志刚;闫凌锐;赵强;朱明;彭春雨;卢文娟;蔺智挺;吴秀龙设计研发完成,并于2026-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于噪声循环结构的K波段压控振荡器、锁相环与芯片在说明书摘要公布了:本发明涉及集成电路领域,特别是一种基于噪声循环结构的K波段压控振荡器、锁相环与芯片。压控振荡器包括振荡电路与调谐电路。振荡电路包括采用噪声循环结构的基础振荡电路构成的上谐振腔以及采用Colpitts结构的噪声抑制电路构成的下谐振腔。振荡电路采用NMOS与PMOS两组交叉耦合负阻,前者采用电容耦合的噪声循环结构,后者采用Colpitts结构,二者通过尾电感相连,以改善电路的相位噪声和功耗。调谐电路采用连接在振荡电路上由数控电容阵列和或自调电容电路构成的可变电容;调节可变电容的电容值以实现对振荡频率进行精细调节。本发明可以解决传统噪声循环结构的振荡器难以实现相位噪声与功耗全面优化的问题。
本发明授权基于噪声循环结构的K波段压控振荡器、锁相环与芯片在权利要求书中公布了:1.一种基于噪声循环结构的K波段压控振荡器,其特征在于,其包括: 振荡电路,其包括采用噪声循环结构的基础振荡电路构成的上谐振腔以及采用Colpitts结构的噪声抑制电路构成的下谐振腔;上谐振腔的直流输出端通过直流传输通道连接至下谐振腔的电源端;所述噪声抑制电路由4个PMOS管P1~P4、4个电容C5~C8和电感L2构成;C5、C6的一端与P3、P4的源极相连,并作为下谐振腔的电源端;C5的另一端与C7的一端、P3的漏极以及P1的源极相连;C7的另一端与P1的漏极以及P2、P4的栅极相连,连接点记为节点E;节点E通过交流传输通道连接至上谐振腔的正相输出端VOP;C6的另一端与C8的一端、P4的漏极以及P2的源极相连;C8的另一端与P2的漏极以及P1、P3的栅极相连,连接点记为节点F;节点F通过交流传输通道连接至上谐振腔的反相输出端VON;L2的两端分别连接P1和P2的漏极;L2的抽头端接VSS; 调谐电路,其采用连接在VOP和VON之间的可调电容;通过改变所述可调电容的电容值以实现对振荡电路的振荡频率进行动态调节。
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