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龙图腾网获悉新唐科技日本株式会社申请的专利半导体激光装置以及半导体激光装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115917894B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180043940.7，技术领域涉及：H01S5/02355；该发明授权半导体激光装置以及半导体激光装置的制造方法是由西川透设计研发完成，并于2021-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体激光装置以及半导体激光装置的制造方法在说明书摘要公布了：半导体激光装置1具备基座40、半导体激光元件10以及接合部件30，半导体激光元件10具有基板11和层叠体SL，层叠体SL被配置为与基座相对，在层叠体SL中形成有在与基板11的主面11s平行的第1方向D1上延伸的波导路，接合部件30具有与半导体激光元件10接合的内部区域30M以及被配置在内部区域30M的外侧的一方外部区域30B和另一方外部区域30C，一方外部区域30B与半导体激光元件10的一侧面10B是分离的，另一方外部区域30C与半导体激光元件10的另一侧面10C是分离的，在与第1方向D1垂直且与基板11的主面11s平行的第2方向D2上的半导体激光元件10的宽度A、一方外部区域30B的宽度B以及另一方外部区域30C的宽度C，满足B≥A4以及C≥A4的关系。

本发明授权半导体激光装置以及半导体激光装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光装置， 所述半导体激光装置，具备： 基座； 半导体激光元件；以及 接合部件，将所述基座与所述半导体激光元件接合， 所述半导体激光元件具有基板以及被层叠在所述基板的主面上的层叠体，并且所述层叠体被配置为与所述基座相对， 所述层叠体具有在所述基板上依次层叠的第1导电型半导体层、活性层、以及第2导电型半导体层， 在所述层叠体中形成有在第1方向上延伸的波导路，所述第1方向是与所述基板的主面平行的方向， 在相对于所述第1方向垂直的截面上，所述接合部件具有与所述半导体激光元件接合的内部区域、以及被配置在所述内部区域的外侧的区域中的一方外部区域和另一方外部区域， 所述一方外部区域相对于所述内部区域被配置在所述半导体激光元件的一侧面侧，所述另一方外部区域相对于所述内部区域被配置在所述半导体激光元件的另一侧面侧， 所述一方外部区域包括被配置在所述一侧面的外侧的区域， 所述另一方外部区域包括被配置在所述另一侧面的外侧的区域， 所述一方外部区域，与所述半导体激光元件的所述一侧面是分离的， 所述半导体激光元件具有第1阶梯部和第2阶梯部，所述第1阶梯部被形成在所述一侧面的离所述基座近的一个端部，所述第2阶梯部被形成在所述另一侧面的离所述基座近的一个端部， 在所述第1阶梯部以及所述第2阶梯部，所述半导体激光元件与所述接合部件是分离的， 所述一方外部区域中的所述接合部件的最大厚度t13、以及所述第1阶梯部与所述接合部件的所述基座侧的表面之间的距离t12，满足t13≤t12的关系， 所述另一方外部区域中的所述接合部件的最大厚度t17、以及所述第2阶梯部与所述接合部件的所述基座侧的表面之间的距离t16，满足t17≤t16的关系， 在与所述第1方向垂直且与所述基板的主面平行的第2方向上的所述半导体激光元件的宽度A、所述一方外部区域的宽度B以及所述另一方外部区域的宽度C，满足B≥A4以及C≥A4的关系。

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