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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115915751B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110936349.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制备方法是由于业笑;刘忠明设计研发完成，并于2021-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构的制备方法，属于半导体技术领域。本公开提供的半导体结构的制备方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有有源区；有源区包括相互隔离的第一有源区和第二有源区；在半导体衬底上形成位线接触槽，位线接触槽暴露第一有源区；形成覆盖位线接触槽的侧壁的刻蚀阻挡层；刻蚀阻挡层在位线接触槽的槽底暴露第一有源区的部分区域；以刻蚀阻挡层为掩膜，对半导体衬底进行刻蚀，以在位线接触槽的槽底形成凹坑；凹坑至少部分位于第一有源区；去除刻蚀阻挡层；形成位线结构，位线结构的位线引线填充满凹坑；形成导电栓塞，导电栓塞与第二有源区电连接。本公开的半导体结构的制备方法能够提高半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底具有有源区和浅槽隔离结构，相邻所述有源区被所述浅槽隔离结构隔离；所述有源区包括相互隔离的第一有源区和第二有源区； 在所述半导体衬底上形成第一掩膜层；所述第一掩膜层覆盖所述第二有源区且暴露所述第一有源区； 以所述第一掩膜层为掩膜对所述半导体衬底进行图案化操作，去除部分所述第一有源区和部分所述浅槽隔离结构，以形成暴露所述第一有源区和所述浅槽隔离结构的位线接触槽； 形成覆盖所述位线接触槽的侧壁的刻蚀阻挡层；所述刻蚀阻挡层在所述位线接触槽的槽底暴露所述第一有源区的部分区域； 以所述刻蚀阻挡层为掩膜，对所述半导体衬底进行刻蚀，以在所述位线接触槽的槽底形成凹坑；所述凹坑至少部分位于所述第一有源区； 去除所述刻蚀阻挡层； 形成位线结构，所述位线结构的位线引线填充满所述凹坑； 形成导电栓塞，所述导电栓塞与所述第二有源区电连接； 所述半导体衬底填埋有字线结构；所述位线引线沿所述字线结构的延伸方向的尺寸为第一尺寸；所述凹坑的深度为第二尺寸； 其中，所述第二尺寸为所述第一尺寸的0.5~2倍； 在所述半导体衬底上形成所述位线接触槽时，所述第一有源区被所述位线接触槽暴露的表面积为第一面积； 在去除所述刻蚀阻挡层后，所述第一有源区被所述位线接触槽和所述凹坑暴露的表面积为第二面积； 所述第二面积为所述第一面积的2~4倍。

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