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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利紫外发光二极管外延片及其制备方法、紫外发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911200B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211421926.9，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权紫外发光二极管外延片及其制备方法、紫外发光二极管是由刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟设计研发完成，并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本紫外发光二极管外延片及其制备方法、紫外发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种紫外发光二极管外延片及其制备方法、紫外发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，紫外发光二极管外延片包括衬底和依次生长于所述衬底上的缓冲层、N型AlGaN层、有源层、电子阻挡层和P型AlGaN层；其中，所述有源层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的量子阱层和量子垒层，所述有源层的周期数≥2；所述量子垒层包括依次层叠的AlInGaN层和P‑AlInGaN层。实施本发明，可有效提升深紫外发光二极管的发光效率。

本发明授权紫外发光二极管外延片及其制备方法、紫外发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种紫外发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底和依次生长于所述衬底上的缓冲层、N型AlGaN层、有源层、电子阻挡层和P型AlGaN层；其中，所述有源层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的量子阱层和量子垒层，所述有源层的周期数≥2；所述量子阱层为AlxGa1-xN层，x为0.2-0.45； 所述量子垒层包括依次层叠的AlInGaN层和P-AlInGaN层；所述AlInGaN层中In组分的占比为0.05-0.2；所述P-AlInGaN层中In组分占比为0.05-0.2； 所述P-AlInGaN层的掺杂元素为Mg，掺杂浓度为1×1018-1×1020cm-3； 沿外延片生长方向，所述AlInGaN层中的Al组分由0.35递增至0.5，所述P-AlInGaN层中的Al组分由0.5递减至0.35； 所述量子阱层中Al组分的占比小于所述量子垒层中Al组分的占比； 所述衬底为蓝宝石衬底，所述缓冲层为AlN层，其采用MOCVD生长，生长温度为1200-1300℃，生长压力为30-50mbar； 生长时，在MOCVD中通入TMAl作为Al源，脉冲式通入NH3作为N源。

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