常州承芯半导体有限公司李新宇获国家专利权
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龙图腾网获悉常州承芯半导体有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863336B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211595421.4，技术领域涉及：H10D84/60；该发明授权半导体器件及其形成方法是由李新宇;丁帼君;姜清华;黄玺设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件包括：衬底、位于所述衬底上的集电层、位于所述集电层上的基极层及位于所述基极层上的发射层；其中，所述集电层、所述基极层及所述发射层包括掺杂的离子；介质层，覆盖第一共用层，所述第一共用层为所述集电层、所述基极层和所述发射层其中之一；电阻层，位于所述介质层上；第一连接部，所述第一连接部的一端与所述电阻层的一端电连接，所述第一连接部的另一端与所述第一共用层电连接。使用上述技术方案能够在半导体器件单位面积内形成电阻值更大的电阻，以缩小半导体器件的面积。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底、位于所述衬底上的集电层、位于所述集电层上的基极层及位于所述基极层上的发射层；其中，所述集电层、所述基极层及所述发射层包括掺杂的离子； 介质层，覆盖第一共用层，所述第一共用层为所述集电层、所述基极层和所述发射层其中之一； 电阻层，位于所述介质层上； 第一连接部，所述第一连接部的一端与所述电阻层的一端电连接，所述第一连接部的另一端与所述第一共用层电连接； 第二连接部，所述第二连接部的一端与所述第一共用层电连接，所述第二连接部的另一端与第二共用层电连接，所述第二共用层是所述集电层、所述基极层和所述发射层其中之一，所述第二共用层与所述第一共用层不同层。
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