华中科技大学童浩获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于奥式阈值开关的非易失存储操作方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115841830B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211311088.X，技术领域涉及：G11C11/401；该发明授权一种基于奥式阈值开关的非易失存储操作方法及系统是由童浩;温晋宇;缪向水设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于奥式阈值开关的非易失存储操作方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于奥式阈值开关的非易失存储操作方法及系统，基于阈值电压值与关态电阻值呈强正相关性的发现，可以通过对奥式阈值开关分别执行重复单向脉冲操作，来调节关态电阻值，进而对应的调节对应的阈值电压，从而使得奥式阈值开关具有足够区分度的阈值态；基于奥式阈值开关在两个具有明显差异的阈值态之间的转换，可以实现信息的非易失性存储，且具有足够大的阈值电压窗口，可以明显提高读操作的准确性，也大大降低了外部电路的复杂性。除此之外，奥式阈值开关具有纳秒级开关速度、可微缩性好且易三维堆叠的优点，其在实现非易失存储单元时有望用于小于20nm技术节点下的DRAM应用场景，从而在匹配DRAM存取速度的基础上大幅提高存储密度。
本发明授权一种基于奥式阈值开关的非易失存储操作方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于奥式阈值开关的非易失存储操作方法，其特征在于，包括擦除操作，包括以下步骤： S1、对奥式阈值开关施加脉冲信号，以读取其初始阈值电压Vth0，并获取所述奥式阈值开关初始状态下的关态电阻值Rini； S2、对所述奥式阈值开关重复施加reset脉冲来增大其关态电阻值，直至其关态电阻值与Rini之比大于第一预设比值，从而实现擦除操作； 其中，所述关态电阻值为所述奥式阈值开关在预设固定电压下的电阻值；所述预设固定电压的取值范围为Vth02的邻域范围；所述reset脉冲为单向脉冲； 所述奥式阈值开关包括从上到下依次分布的第一金属电极层、阈值开关层和第二金属电极层。
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