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中国电子科技集团公司第十三研究所邓世雄获国家专利权

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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利基于硅基PIN二极管的PIN限幅器的制备方法及PIN限幅器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115642086B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211248092.6,技术领域涉及:H10D8/01;该发明授权基于硅基PIN二极管的PIN限幅器的制备方法及PIN限幅器是由邓世雄;高长征;罗建;陈书宾;李亮;吴波;王生明;孙计永;孙一航;王磊;宋学峰;周彪;王乔楠;孔伟东;王二超设计研发完成,并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

基于硅基PIN二极管的PIN限幅器的制备方法及PIN限幅器在说明书摘要公布了:本申请提供一种基于硅基PIN二极管的PIN限幅器的制备方法及PIN限幅器,该方法包括:在硅晶圆衬底制备多级PN结,得到N+层、多个P+层和多个I层区域;在每个P+层的上表面制备上电极;在N+层的下表面制备下电极;在N+层的上表面制备第一钝化层;在第一钝化层的上表面刻蚀多个凹槽至N+层,基于多个凹槽制备多个接地焊盘;在第一钝化层的上表面制备绝缘介质层;在绝缘介质层的上表面进行开窗,形成多个开孔;在绝缘介质层的上表面制备预设外围电路,在多个开孔内进行镀金处理,以使多个上电极和多个接地焊盘电连接预设外围电路。本申请采用单片化制备方法,使制备得到的基于硅基PIN二极管的PIN限幅器尺寸小且集成度高。

本发明授权基于硅基PIN二极管的PIN限幅器的制备方法及PIN限幅器在权利要求书中公布了:1.一种基于硅基PIN二极管的PIN限幅器的制备方法,其特征在于,包括: 在硅晶圆衬底制备多级PN结,得到N+层、多个P+层和与所述多个P+层分别对应的多个I层区域;其中,每级PN结中包括至少一个PN结;所述多级PN结共用一个N+层;所述I层区域位于所述N+层与所述P+层之间; 在每个所述P+层的上表面制备上电极;将所述N+层的下表面减薄至预设厚度,并在所述N+层的下表面制备下电极; 在所述N+层的上表面除所述多个I层区域、所述多个P+层的区域与多个上电极的区域外的区域制备第一钝化层;在所述第一钝化层的上表面刻蚀多个凹槽至所述N+层的上表面,基于所述多个凹槽制备多个接地焊盘; 在所述第一钝化层的上表面制备绝缘介质层,所述绝缘介质层覆盖所述第一钝化层、所述多个接地焊盘、所述多个P+层和多个上电极;在所述绝缘介质层的上表面的预设位置进行开窗处理,形成多个开孔;所述预设位置为所述绝缘介质层的上表面与所述多个上电极和所述多个接地焊盘垂直对应的位置; 在所述绝缘介质层的上表面制备预设外围电路,在所述多个开孔内进行镀金处理,以使所述多个上电极和所述多个接地焊盘电连接所述预设外围电路。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第十三研究所,其通讯地址为:050051 河北省石家庄市合作路113号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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