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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体制造装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483082B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210184207.3，技术领域涉及：H01J37/305；该发明授权半导体制造装置及半导体装置的制造方法是由李武;今村翼;板垣雄翔;赵珉吉设计研发完成，并于2022-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体制造装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：实施方式提供一种在利用干式蚀刻对被加工层进行加工时能够以高精度进行加工的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置制造装置具备：腔室；保持器，设置在腔室中，能够吸附衬底，且包含设置在表面的凹部、设置在凹部的第1孔、及设置在凹部的第2孔；第1气体通路，连接于第1孔；第2气体通路，连接于第2孔；第1阀，设置在第1气体通路上；第2阀，设置在第2气体通路上；第1气体供给配管，向凹部供给第1气体；以及气体排出配管，从凹部排出气体；第1气体通路及第2气体通路连接于第1气体供给配管，或第1气体通路及第2气体通路连接于气体排出配管。

本发明授权半导体制造装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，在保持器上载置具有被加工层之衬底，所述保持器设置在腔室中，具有设置在表面的凹部、设置在所述凹部的第1孔、及设置在所述凹部的第2孔； 打开连接于所述第1孔的第1气体通路上设置的第1阀、及连接于所述第2孔的第2气体通路上设置的第2阀，经由所述第1气体通路及所述第2气体通路向所述保持器与所述衬底之间供给与所述衬底接触的第1气体； 将所述第1气体的压力控制为第1压力； 实施使用反应性离子蚀刻法对所述被加工层进行蚀刻的第1蚀刻处理； 在所述第1蚀刻处理的中途或所述第1蚀刻处理之后，关闭所述第1阀及所述第2阀； 在关闭所述第1阀及所述第2阀之后，打开所述第1阀及所述第2阀，经由所述第1气体通路及所述第2气体通路从所述保持器与所述衬底之间排出所述第1气体； 将所述第1气体的压力控制为比所述第1压力低的第2压力；以及 进行去除所述被加工层上的反应产物的第1反应产物去除； 在供给所述第1气体时，先打开所述第1阀或所述第2阀的其中任一个，或者 在排出所述第1气体时，先打开所述第1阀或所述第2阀的其中任一个。

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