深圳市华星光电半导体显示技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板及其制备方法和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411054B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211012526.2，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及其制备方法和显示装置是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及其制备方法和显示装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种阵列基板及其制备方法和显示装置，阵列基板包括显示区和围绕其设置的边框区，阵列基板包括基板、驱动晶体管、开关晶体管和栅极驱动晶体管。驱动晶体管和开关晶体管设置于基板上。驱动晶体管和开关晶体管位于显示区，驱动晶体管包括第一有源部。开关晶体管包括第二有源部。栅极驱动晶体管位于边框区。栅极驱动晶体管包括第三有源部。其中，第一有源部、第二有源部和第三有源部的材料相同。第二有源部的载流子浓度和第三有源部的载流子浓度均大于第一有源部的载流子浓度，使得可以提高开关晶体管和栅极驱动晶体管的迁移率的同时，提高驱动晶体管的稳定性，从而保证了阵列基板中的不同区域对晶体管性能的要求。
本发明授权阵列基板及其制备方法和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区和围绕所述显示区设置的边框区，所述阵列基板包括： 基板； 驱动晶体管和开关晶体管，设置于所述基板上，所述驱动晶体管和所述开关晶体管位于所述显示区，所述驱动晶体管包括第一有源部，所述开关晶体管包括第二有源部；以及 栅极驱动晶体管，设置于所述基板上，所述栅极驱动晶体管位于所述边框区，所述栅极驱动晶体管包括第三有源部； 其中，所述第一有源部、所述第二有源部和所述第三有源部的材料均相同，所述第二有源部的载流子浓度和所述第三有源部的载流子浓度均大于所述第一有源部的载流子浓度； 所述第二有源部的厚度和所述第三有源部的厚度均大于所述第一有源部的厚度，所述第一有源部、所述第二有源部和所述第三有源部的材料均包括金属氧化物半导体。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：518132 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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