台湾积体电路制造股份有限公司周家政获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241123B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210409342.3，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体器件及其形成方法是由周家政;柯忠祁;李资良设计研发完成，并于2022-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种结构包括：第一导电特征、在第一导电特征之上的第一蚀刻停止层、在第一蚀刻停止层之上的电介质层以及在电介质层和第一蚀刻停止层中的第二导电特征。第二导电特征在第一导电特征之上并且与第一导电特征接触。空气间隔件环绕第二导电特征，并且第二导电特征的侧壁暴露于空气间隔件。保护环进一步环绕第二导电特征，并且保护环将第二导电特征与空气间隔件完全分离。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括： 对电介质层进行蚀刻以形成开口，其中，所述电介质层下方的第一导电特征暴露于所述开口； 沉积延伸到所述开口中的牺牲间隔件层； 执行第一蚀刻工艺以对所述牺牲间隔件层进行蚀刻，其中，所述牺牲间隔件层在所述开口的底部处的第一底部部分被去除以暴露所述第一导电特征，并且所述牺牲间隔件层在所述开口中和所述电介质层的侧壁上的第一垂直部分被保留以形成牺牲环； 沉积延伸到所述开口中以及所述牺牲环上的保护层； 执行第二蚀刻工艺以对所述保护层进行蚀刻，其中，所述保护层的第二底部部分被去除以暴露所述第一导电特征，并且所述保护层在所述开口中的第二垂直部分被保留以形成保护环； 在所述开口中形成第二导电特征，其中，所述第二导电特征被所述牺牲环环绕，并且在所述第一导电特征之上并且电耦合到所述第一导电特征；以及 去除所述牺牲环以形成空气间隔件。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励