铠侠股份有限公司冈岛睦获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利存储器件及存储器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132730B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110869975.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器件及存储器件的制造方法是由冈岛睦;大寺泰章;中西务设计研发完成，并于2021-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器件及存储器件的制造方法在说明书摘要公布了：提供存储器件及其制造方法。实施方式的存储器件包括：电路CC，其设置在半导体基板9的第1面上，包括第1接触部53；氧化铝层63，其在与第1面垂直的方向上设置在基板9的上方；存储单元MC，其包括设置在氧化铝层63内的电容器10；导电层61，其在第1方向上设置在基板9与氧化铝层63之间，与存储单元MC电连接；第1绝缘层60，其在第1方向上设置在导电层61与基板9之间；第2绝缘层80，其在与基板9的表面平行的第2方向上与氧化铝层63相邻，在第1方向上设置在基板9的上方；以及第2接触部70，其设置在第2绝缘层80内，在第1方向上设置在第1接触部53的上方，将存储单元MC电连接于第1接触部53。
本发明授权存储器件及存储器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，具备： 半导体基板； 电路，其设置在所述半导体基板的第1面上，包括第1接触部； 氧化铝层，其在与所述第1面垂直的第1方向上设置在所述半导体基板的上方； 存储单元，其包括设置在所述氧化铝层内的电容器； 第1导电层，其在所述第1方向上设置在所述半导体基板与所述氧化铝层之间，与所述存储单元电连接； 第1绝缘层，其在所述第1方向上设置在所述第1导电层与所述半导体基板之间； 第2绝缘层，其在与所述第1面平行的第2方向上与所述氧化铝层相邻，在所述第1方向上设置在所述半导体基板的上方；以及 第2接触部，其设置在所述第2绝缘层内，在所述第1方向上设置在所述第1接触部的上方，将所述存储单元电连接于所述第1接触部。
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