买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446977B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111281739.0，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法是由J·D·霍普金斯;J·D·格林利;N·M·洛梅利;A·N·斯卡伯勒设计研发完成，并于2021-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述横向间隔开的存储器块分别包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层面和导电层面。存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述绝缘层面和所述导电层面。居间材料横向处于横向紧邻的所述存储器块之间并且纵向沿着横向紧邻的所述存储器块。所述导电层面的最下部中的所述居间材料包括居间部材料。桥接部在所述横向紧邻的存储器块之间横向延伸。所述桥接部包括与所述居间部材料具有不同组成的桥接材料。所述桥接部沿着所述横向紧邻的存储器块通过所述居间部材料纵向间隔开并且横向延伸到所述横向紧邻的存储器块中。公开其它包含方法的实施例。

本发明授权存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括： 在衬底上形成包括导体材料的导体层面； 在所述导体层面上方形成将包括竖直交替的第一层面和第二层面的堆叠的下部部分，所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区，所述第一层面的材料具有与所述第二层面的材料不同的组成，所述第一层面的最下部包括： 牺牲材料；和 桥接部，其在横向紧邻的所述存储器块区之间横向延伸，所述桥接部包括与所述牺牲材料具有不同组成的桥接材料，所述桥接部沿着所述横向紧邻的存储器块区通过所述牺牲材料纵向间隔开并且横向延伸到所述横向紧邻的存储器块区中，所述桥接部分别具有相对端和在所述相对端之间延伸的相对侧面，每个相对端终止于两个横向紧邻的所述存储器块区中的一个内，所述牺牲材料完全环绕每个所述桥接部，且位于每个所述桥接部的所述相对端及所述相对侧面的横向旁边； 在所述下部部分上方形成所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的第一层面和第二层面，且形成沟道材料串，所述沟道材料串穿过所述上部部分中的所述第一层面和所述第二层面延伸到所述下部部分中的所述第一层面的所述最下部； 将水平延长的沟槽形成到所述堆叠中，所述水平延长的沟槽分别在横向紧邻的所述存储器块区之间并延伸到所述第一层面的所述最下部中的所述牺牲材料和所述桥接部； 从所述第一层面的所述最下部穿过所述沟槽相对于所述桥接材料选择性地各向同性蚀刻所述牺牲材料；和 在所述蚀刻之后，在所述第一层面的所述最下部中围绕所述桥接部形成导电材料，所述导电材料位于每个所述桥接部的所述相对端及所述相对侧面的横向旁边，所述导电材料将个别所述沟道材料串的沟道材料与所述导体层面的所述导体材料直接电耦合在一起。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。