中国科学院合肥物质科学研究院;中国科学技术大学盛志高获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院;中国科学技术大学申请的专利一种交换偏置大小可调的二维范德瓦尔斯同质结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156403B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111276576.7，技术领域涉及：H10N50/85；该发明授权一种交换偏置大小可调的二维范德瓦尔斯同质结构及其制备方法是由盛志高;张振宇;刘财兴设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种交换偏置大小可调的二维范德瓦尔斯同质结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种交换偏置大小可调的二维范德瓦尔斯同质结构，涉及磁存储技术领域，本发明包括相互叠加的二维范德瓦尔斯铁磁层和二维范德瓦尔斯反铁磁层，所述铁磁层和反铁磁层的厚度均为2‑200nm，所述铁磁层和反铁磁层的厚度之比为x:1‑x，其中x范围为0.1‑0.9。本发明的有益效果在于：现有的交换偏置难以调控偏置大小，在已知能够诱导出交换偏置的情况下，也并不能对交换偏置场的大小进行调控，本发明通过调整铁磁层和反铁磁层厚度的相对比例，从而实现并调控交换偏置大小。反铁磁层占比越高，交换偏置场越大。
本发明授权一种交换偏置大小可调的二维范德瓦尔斯同质结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种交换偏置大小可调的二维范德瓦尔斯同质结构，其特征在于：包括相互叠加的二维范德瓦尔斯铁磁层和二维范德瓦尔斯反铁磁层，所述铁磁层和反铁磁层的厚度均为2-200nm；施加垂直于二维范德瓦尔斯磁性薄片表面不同大小的单轴压力，单轴压力大小为0.1-1GPa，维持一段时间，形成一定比例相互叠加的二维范德瓦尔斯铁磁层和二维范德瓦尔斯反铁磁层；通过设置一定范围内不同大小的单轴压力，能够实现调控交换偏置场的大小，当单轴压力从0.1升高至1GPa，交换偏置场大小依次增大；所述铁磁层和反铁磁层的厚度之比为x:1-x，其中x范围为0.1-0.9。
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