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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利刻蚀机参数校准方法、装置、控制设备及校准系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114093783B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111397342.8，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权刻蚀机参数校准方法、装置、控制设备及校准系统是由许晓青;李锁印;吴爱华;韩志国;赵琳;张晓东设计研发完成，并于2021-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本刻蚀机参数校准方法、装置、控制设备及校准系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种刻蚀机参数校准方法、装置、控制设备及校准系统。该方法包括：获取微纳米标准样板的证书值；利用微纳米几何测量仪器测量微纳米标准样板，得到微纳米标准样板的测量值；根据微纳米标准样板的测量值和微纳米标准样板的证书值确定微纳米几何测量仪器的修正系数，并根据修正系数对微纳米几何测量仪器进行修正；利用修正后的微纳米几何测量仪器对刻蚀机的参数进行校准。本发明能够提高刻蚀机工作的准确性。

本发明授权刻蚀机参数校准方法、装置、控制设备及校准系统在权利要求书中公布了：1.一种刻蚀机参数校准方法，其特征在于，包括： 获取微纳米标准样板的证书值； 利用微纳米几何测量仪器测量所述微纳米标准样板，得到所述微纳米标准样板的测量值； 根据所述微纳米标准样板的测量值和所述微纳米标准样板的证书值确定所述微纳米几何测量仪器的修正系数，并根据所述修正系数对所述微纳米几何测量仪器进行修正； 利用修正后的微纳米几何测量仪器对刻蚀机的参数进行校准； 所述微纳米标准样板包括微纳米膜厚标准样板；相应的，所述微纳米标准样板的证书值包括所述微纳米膜厚标准样板的证书膜厚值；所述微纳米几何测量仪器包括椭偏仪；相应的，所述微纳米标准样板的测量值包括所述微纳米膜厚样板的偏振角和相位差； 所述根据所述微纳米标准样板的测量值和所述微纳米标准样板的证书值确定所述微纳米几何测量仪器的修正系数，包括：根据所述微纳米膜厚标准样板的偏振角和相位差，以及预先确定的膜厚椭偏关系式，确定所述微纳米膜厚样板的测量膜厚值；根据所述微纳米膜厚标准样板的测量膜厚值和所述微纳米膜厚标准样板的膜厚证书值确定所述椭偏仪的修正系数； 所述利用修正后的微纳米几何测量仪器对刻蚀机的参数进行校准，包括： 利用修正后的椭偏仪测量被所述刻蚀机刻蚀前的膜厚实验样品，得到第一膜厚值；利用修正后的椭偏仪测量被所述刻蚀机刻蚀后的所述膜厚实验样品，得到第二膜厚值；根据所述第一膜厚值和所述第二膜厚值，计算所述刻蚀机的实际刻蚀速率和实际刻蚀均匀性，与所述刻蚀机本身的刻蚀速率和刻蚀均匀性进行比较；根据所述刻蚀机的实际刻蚀速率和刻蚀均匀性对所述刻蚀机的参数进行校准，以校准所述刻蚀机的刻蚀速率和刻蚀均匀性。

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