索尼半导体解决方案公司富樫秀晃获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利固态摄像装置和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113424322B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080014258.0，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权固态摄像装置和电子设备是由富樫秀晃;河合信宏设计研发完成，并于2020-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本固态摄像装置和电子设备在说明书摘要公布了：本发明提高了读出速度。根据一个实施例的固态摄像装置100包括以矩阵形式排列的多个光电转换元件PD3，其中，每个所述光电转换元件包括：第一电极和第二电极112、117，所述第一电极的主平面和所述第二电极的主平面彼此面对；光电转换膜113，所述光电转换膜布置在所述第一电极和所述第二电极之间；半导体层114，所述半导体层布置在所述光电转换膜和所述第二电极之间，并且第一表面与所述光电转换膜接触且在与所述第一表面相对的一侧的第二表面的至少一部分与所述第二电极接触；绝缘膜316，所述绝缘膜布置在所述半导体层内；以及第三电极115，所述第三电极布置在所述绝缘膜内。
本发明授权固态摄像装置和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种固态摄像装置，所述固态摄像装置包括： 多个光电转换元件，所述多个光电转换元件以矩阵形式排列， 其中，每个所述光电转换元件包括： 第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极被布置为使得二者的主平面彼此面对， 光电转换膜，所述光电转换膜布置在所述第一电极和所述第二电极之间， 半导体层，所述半导体层布置在所述光电转换膜和所述第二电极之间，并且被构造为使得第一表面与所述光电转换膜接触且在与所述第一表面相对的一侧的第二表面的至少一部分与所述第二电极接触， 绝缘膜，所述绝缘膜布置在所述半导体层内，以及 第三电极，所述第三电极布置在所述绝缘膜内， 其中，位于所述第三电极的侧壁侧的所述绝缘膜的在与所述主平面平行的方向上的膜厚从所述第三电极的上部侧向下部侧减小。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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