三星电子株式会社金志荣获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310109B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010724423.3，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体存储器装置及其制造方法是由金志荣;梁宇成;李重锡;李炳镇设计研发完成，并于2020-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体存储器装置及其制造方法。半导体存储器装置包括：电极结构，每个电极结构包括彼此堆叠在衬底上的水平电极；位于电极结构之间并且沿着水平电极延伸的竖直电极；在电极结构的端部处连接到水平电极的第一接触件；连接到竖直电极的上部的第二接触件；以及，连接到第二接触件的顶表面的第一互连结构。第一互连结构包括第一子互连线和第二子互连线。第一子互连线在第一方向上延伸并且接触第二接触件的顶表面。第二子互连线在与第一方向交叉的第二方向上延伸并且接触第一子互连线。
本发明授权半导体存储器装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，包括： 衬底； 多个电极结构，其位于所述衬底上，所述多个电极结构中的每一个包括在所述衬底上彼此堆叠的水平电极； 竖直电极，其位于所述多个电极结构之间并且沿着所述水平电极延伸； 第一接触件，其在所述多个电极结构的端部处连接到所述水平电极； 第二接触件，其连接到所述竖直电极的上部；以及 第一互连结构，其连接到所述第二接触件的顶表面，所述第一互连结构包括第一子互连线和第二子互连线， 所述第一子互连线在第一方向上延伸并且接触所述第二接触件的顶表面， 所述第二子互连线在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，所述第二子互连线接触所述第一子互连线，并且 所述第一子互连线与所述第二子互连线位于相对于所述衬底的同一水平高度处。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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