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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括数据存贮材料图案的半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112054119B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010423728.0，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权包括数据存贮材料图案的半导体器件及其制造方法是由朴正熙;朴洸珉;朴志镐;吴圭焕;李政武;堀井秀树设计研发完成，并于2020-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括数据存贮材料图案的半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：基体结构，包括半导体基底；第一导电结构，设置在基体结构上，并且在第一方向上延伸，第一导电结构包括下层，并且下层之中的至少一个下层包括碳；数据存贮材料图案，设置在第一导电结构上。所述半导体器件还包括：中间导电图案，设置在数据存贮材料图案上并且包括中间层，中间层之中的至少一个中间层包括碳；开关材料图案，设置在中间导电图案上；以及开关上电极图案，设置在开关材料图案上并且包括碳。所述半导体器件还包括：第二导电结构，设置在开关上电极图案上，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及孔间隔件，设置在数据存贮材料图案的侧表面上。

本发明授权包括数据存贮材料图案的半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括： 基体结构，包括半导体基底； 第一导电结构，设置在所述基体结构上并且在第一方向上延伸，所述第一导电结构包括下层，并且在所述下层之中的至少一个下层包括碳； 缓冲层，设置在所述第一导电结构的顶表面的第一部分上； 层间绝缘层，设置在所述缓冲层的顶表面上； 数据存贮材料图案，设置在所述第一导电结构的顶表面的第二部分上； 中间导电图案，设置在所述数据存贮材料图案上并且包括中间层，所述中间层之中的至少一个中间层包括碳； 开关材料图案，设置在所述中间导电图案上； 开关上电极图案，设置在所述开关材料图案上并且包括碳； 第二导电结构，设置在所述开关上电极图案上，并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及 孔间隔件，设置在所述数据存贮材料图案的侧表面与所述层间绝缘层的侧表面之间， 其中，所述缓冲层在所述层间绝缘层的底表面与所述第一导电结构的顶表面的第一部分之间； 其中，所述缓冲层在平行于所述第一导电结构的顶表面的第一方向上延伸， 其中，所述缓冲层的侧表面与所述第一导电结构的侧表面对齐， 其中，所述数据存贮材料图案与所述第一导电结构接触， 其中，所述孔间隔件与所述第一导电结构间隔开， 其中，所述孔间隔件的底表面在比所述数据存贮材料图案的底表面高的高度处。

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