日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利互连结构、半导体封装及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111696955B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910449814.6，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权互连结构、半导体封装及其制造方法是由吕文隆设计研发完成，并于2019-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本互连结构、半导体封装及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及一种互连结构、半导体封装及其制造方法。一种互连结构包含第一电介质层和第二电介质层。所述第二电介质层被安置在所述第一电介质层上。所述第二电介质层具有第一表面和第二表面，两者均面朝所述第一电介质层。所述第二电介质层的所述第一表面从所述第二电介质层的所述第二表面凹入，且限定凹口。所述第一电介质层的一部分安置于所述凹口内。
本发明授权互连结构、半导体封装及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，其包括： 第一互连层，其具有第一导电层和至少部分覆盖所述第一导电层的第一电介质层；以及 第二互连层，其具有第二导电层和至少部分覆盖所述第二导电层的第二电介质层，其中所述第一互连层至少部分由所述第二互连层包围，所述第二电介质层安置于所述第一电介质层上，所述第二电介质层具有均面朝所述第一电介质层的第一表面和第二表面，所述第一电介质层的材料不同于所述第二电介质层的材料， 其中所述第二电介质层的所述第一表面从所述第二电介质层的所述第二表面凹入且限定凹口，且 所述第一电介质层的一部分安置于所述凹口内；以及 金属层，所述金属层安置于所述凹口内且具有接触所述第二电介质层的上表面，且具有接触所述第一电介质层的下表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人日月光半导体制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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