深圳市华科半导体有限公司文全获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华科半导体有限公司申请的专利一种硅堆大功率高压二极管的加工装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224124543U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521031339.8，技术领域涉及：H10P72/00；该实用新型一种硅堆大功率高压二极管的加工装置是由文全;陈永晚设计研发完成，并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅堆大功率高压二极管的加工装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种硅堆大功率高压二极管的加工装置，包括括底座，所述底座的外侧设置有控制器，所述底座的顶部安装有模压机构，所述底座的外侧设置有调节机构，所述底座的外侧设置有防尘机构，所述防尘机构包括活动连接在底座顶部的遮挡板，模压机构包括支撑架，所述支撑架的顶部固定连接有液压缸，所述液压缸的底部固定连接有模压板，所述底座的顶部安装有工件板，该硅堆大功率高压二极管的加工装置，通过设置了调节机构使得工件板能在底座顶部灵活移动。当需要调整二极管在模压过程中的位置，或者更换不同批次、不同加工要求的二极管时，可通过外力移动工件板，满足多样化的加工需求，提高装置的通用性。
本实用新型一种硅堆大功率高压二极管的加工装置在权利要求书中公布了：1.一种硅堆大功率高压二极管的加工装置，包括底座1，其特征在于：所述底座1的外侧设置有控制器2，所述底座1的顶部安装有模压机构3，所述底座1的外侧设置有调节机构4，所述底座1的外侧设置有防尘机构5，所述防尘机构5包括活动连接在底座1顶部的遮挡板56； 模压机构3包括支撑架31，所述支撑架31的顶部固定连接有液压缸32，所述液压缸32的底部固定连接有模压板33，所述底座1的顶部安装有工件板34，所述工件板34的内部开设有工件槽35； 调节机构4包括衔接板41，所述衔接板41的外侧固定连接有活动管42，所述活动管42的内部活动连接有卡接杆43，所述卡接杆43上固定连接有压缩弹簧44，所述工件板34的侧壁中开设有一号定位孔45与二号定位孔46，所述底座1的内部开设有移动槽47，所述移动槽47的内部滑动卡接有滑块48，所述滑块48的外侧固定连接有复位弹簧49。
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