无锡华润华晶微电子有限公司储凯闻获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润华晶微电子有限公司申请的专利电子电路和半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224124499U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521120881.0，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型电子电路和半导体器件是由储凯闻;毛虹懿;余泽楷设计研发完成，并于2025-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子电路和半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种电子电路和半导体器件，主晶体管的栅源端口之间设置有静电保护电路，所述静电保护电路包括第一泄放电流支路和第二泄放电流支路，所述第一泄放电流支路和所述第二泄放电流支路共用分压元件和泄流管；其中，所述主晶体管的栅源端口的电压大于第一阈值时，所述第一泄放电流支路导通；所述主晶体管的栅源端口的电压小于第二阈值时，所述第二泄放电流支路导通。由此，当所述主晶体管的栅源端口的电压大于第一阈值或者小于第二阈值时，即当所述主晶体管的栅源端口的电压的绝对值过大时，便可通过所述静电保护电路进行泄流，从而能提高所述主晶体管的栅源端口的ESD能力。
本实用新型电子电路和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种电子电路，其特征在于，所述电子电路包括：主晶体管以及连接于所述主晶体管的栅源端口之间的静电保护电路，所述静电保护电路包括第一泄放电流支路和第二泄放电流支路，所述第一泄放电流支路和所述第二泄放电流支路共用分压元件和泄流管；其中，所述主晶体管的栅源端口的电压大于第一阈值时，所述第一泄放电流支路导通；所述主晶体管的栅源端口的电压小于第二阈值时，所述第二泄放电流支路导通。
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