苏州安络微电子技术有限公司韩光辉获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州安络微电子技术有限公司申请的专利用于深腔体黑体侧壁杂散光的遮光罩获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN224122051U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202521152387.2,技术领域涉及:G01J5/08;该实用新型用于深腔体黑体侧壁杂散光的遮光罩是由韩光辉;刘大河;刘超设计研发完成,并于2025-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于深腔体黑体侧壁杂散光的遮光罩在说明书摘要公布了:本实用新型涉及一种用于深腔体黑体侧壁杂散光的遮光罩,属于黑体遮光罩领域。该遮光罩包括:遮光部,安装在黑体辐射面的正前方,且具有圆形通孔,圆形通孔内具有消光结构;辅助散热部,位于遮光部远离黑体辐射面的一端边缘;其中,遮光部与黑体辐射面之间具有第一间隙,遮光部的外壁与黑体腔体内侧壁之间具有第二间隙。该用于深腔体黑体侧壁杂散光的遮光罩,通过在黑体腔体内设置遮光部,并使遮光部与黑体辐射面、黑体腔体内侧壁之间不接触,能有效的去除黑体腔体内侧壁的杂散光给测试带来的影响,同时,通过在圆形通孔内设置消光结构,能够抑制反射热量带来的影响。
本实用新型用于深腔体黑体侧壁杂散光的遮光罩在权利要求书中公布了:1.一种用于深腔体黑体侧壁杂散光的遮光罩,其特征在于,包括: 遮光部,安装在黑体辐射面的正前方,且具有圆形通孔,所述圆形通孔内具有消光结构; 辅助散热部,位于所述遮光部远离黑体辐射面的一端边缘; 其中,所述遮光部与黑体辐射面之间具有第一间隙,所述遮光部的外壁与黑体腔体内侧壁之间具有第二间隙。
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