株式会社村田制作所后藤聪获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社村田制作所申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743964B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111550704.2，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权半导体装置是由后藤聪;吉见俊二;深泽美纪子设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种能够提高散热特性的半导体装置。在俯视第一部件的第一面时，在第一面的内部配置有包含开关的至少一个开关电路。第二部件与第一部件的第一面面接触地接合。第二部件包含构成高频放大电路的化合物半导体系的多个晶体管。第一导体突起从第二部件向第一部件侧的相反侧突出。第一部件包含电路元件，上述电路元件在俯视时配置于高频放大电路与至少一个开关电路之间，且不构成开关电路。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 第一部件，具有第一面，在俯视所述第一面时，在所述第一面的内部配置有包含开关的至少一个开关电路； 第二部件，面接触地接合于所述第一部件的所述第一面，并包含构成高频放大电路的化合物半导体系的多个晶体管；以及 第一导体突起，从所述第二部件向所述第一部件侧的相反侧突出， 所述第一部件包含电路元件，所述电路元件在俯视时配置于所述高频放大电路与所述至少一个开关电路之间，且不构成所述至少一个开关电路。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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