TCL科技集团股份有限公司吴劲衡获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利改性金属二维烯材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114643356B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011501703.4，技术领域涉及：B22F1/054；该发明授权改性金属二维烯材料及其制备方法和应用是由吴劲衡;吴龙佳;何斯纳设计研发完成，并于2020-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本改性金属二维烯材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改性金属二维烯材料及其制备方法、空穴注入复合材料、空穴传输复合材料和发光二极管。改性金属二维烯材料包括金属二维烯材料本体，所述金属二维烯材料本体所含的不饱和键部分被卤素原子加成，且所述改性金属二维烯材料的HOMO能级在空穴注入材料和或空穴传输材料的HOMO能级区间内，或所述改性金属二维烯材料的HOMO能级与空穴注入材料和或空穴传输材料的HOMO能级接近。所述空穴注入复合材料、空穴传输复合材料均含有改性金属二维烯材料。发光二极管的空穴注入层材料为所述空穴注入复合材料和或空穴传输层材料为所述空穴传输复合材料。
本发明授权改性金属二维烯材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种改性金属二维烯材料，包括金属二维烯材料本体，所述金属二维烯材料本体所含的不饱和键部分被卤素原子加成，且所述改性金属二维烯材料的HOMO能级为-5.0～-6.0eV； 所述金属二维烯材料本体包括锡烯、铅烯、锗烯中的至少一种； 所述金属二维烯材料本体所含的不饱和键被卤素原子加成的摩尔百分比为5～10％。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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