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龙图腾网获悉安普林荷兰有限公司申请的专利具有改进布局的场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114631194B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080076640.4，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权具有改进布局的场效应晶体管是由帕特里克·瓦克设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有改进布局的场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明涉及一种场效应晶体管、封装的场效应晶体管和包括其的电子器件。更具体地，本发明涉及一种具有改进的栅极指状件和漏极指状件布局的场效应晶体管。本发明提出了一种新的漏极指状件和栅极指状件布局，使得在沿着栅极指状件和漏极指状件的不同位置处的穿过晶体管单元的信号之间的相位延迟最小化。

本发明授权具有改进布局的场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管150，包括半导体衬底，在所述半导体衬底上布置有： 至少一个晶体管单元阵列，每个晶体管单元阵列包括多个相邻布置的互连晶体管单元，每个晶体管单元包括第一晶体管单元单位100，其中，每个第一晶体管单元单位包括： 多个栅极指状件102、主栅极指状件段101、多个漏极指状件105和主漏极指状件段104，其中，所述多个栅极指状件、所述主栅极指状件段、所述多个漏极指状件和所述主漏极指状件段所有都平行延伸； 主栅极指状件基部103，所述主栅极指状件基部连接到第一晶体管单元单位的主栅极指状件段且从所述主栅极指状件段朝向第一晶体管单元单位的主漏极指状件段延伸，所述主栅极指状件基部连接到所述多个栅极指状件； 主漏极指状件基部106，所述主漏极指状件基部连接到第一晶体管单元单位的主漏极指状件段且从所述主漏极指状件段朝向第一晶体管单元单位的主栅极指状件段延伸，所述主漏极指状件基部连接到所述多个漏极指状件，并且所述主漏极指状件基部与所述主栅极指状件基部间隔且平行地布置，其中，所述栅极指状件从所述主栅极指状件基部朝向所述主漏极指状件基部延伸，并且所述漏极指状件从所述主漏极指状件基部朝向所述主栅极指状件基部延伸，其中，所述栅极指状件和所述漏极指状件各自在所述主栅极指状件基部和所述主漏极指状件基部之间的空间中充分布置； 其中，相邻布置的第一晶体管单元单位的主栅极指状件段电连接形成主栅极指状件，并且其中，相邻布置的第一晶体管单元单位的主漏极指状件段电连接形成主漏极指状件； 其中，所述场效应晶体管进一步包括联接到所述主栅极指状件的栅极条108和联接到所述主漏极指状件的漏极条109； 其中，与所述栅极条电连接的所有栅极指状件沿相同方向远离与所述栅极指状件连接的主栅极指状件基部延伸；并且 其中，与所述漏极条电连接的所有漏极指状件沿与所述相同方向相反的方向远离与所述漏极指状件连接的主漏极指状件基部延伸。

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