广州华星光电半导体显示技术有限公司刘伟获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利驱动基板及显示面板获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114551482B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210193607.0,技术领域涉及:H10D86/40;该发明授权驱动基板及显示面板是由刘伟设计研发完成,并于2022-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本驱动基板及显示面板在说明书摘要公布了:本申请公开了一种驱动基板及显示面板,驱动基板包括衬底、第一栅极、第一栅绝缘层、有源层、钝化层、源极和漏极。其中,第一栅极设置在衬底上。有源层设置在衬底上。第一栅绝缘层设置在有源层和第一栅极之间。第一栅绝缘层包括依次层叠设置的第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层,其中,第一阻挡层和第二阻挡层间的附着力和或第二阻挡层和第三阻挡层间的附着力大于第一阻挡层和第三阻挡层之间的附着力。钝化层设置在衬底上。源极和漏极设置在钝化层上,并分别与有源层电性连接。
本发明授权驱动基板及显示面板在权利要求书中公布了:1.一种驱动基板,其特征在于,所述驱动基板包括: 衬底; 第一栅极,所述第一栅极设置在所述衬底上; 有源层,所述有源层设置在所述衬底上; 第一栅绝缘层,所述第一栅绝缘层设置在所述有源层和所述第一栅极之间,所述第一栅绝缘层包括依次层叠设置的第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层,其中,所述第一阻挡层和所述第二阻挡层间的附着力和或所述第二阻挡层和所述第三阻挡层间的附着力大于所述第一阻挡层和所述第三阻挡层之间的附着力; 钝化层,所述钝化层设置在所述衬底上; 源极,所述源极设置在所述钝化层上,并与所述有源层电性连接; 漏极,所述漏极设置在所述钝化层上,并与所述有源层电性连接。
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