长鑫存储技术有限公司李君才获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420839B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210054443.3，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构是由李君才;杨波;杨校宇;曹凯;吴公一设计研发完成，并于2022-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括：提供初始结构，初始结构包括叠层结构以及形成于叠层结构中的多个电容孔，每个电容孔中形成有下电极；形成硬掩膜层，硬掩膜层覆盖初始结构的顶面；通过刻蚀气体刻蚀硬掩膜层形成多个第一开口；刻蚀气体包括第一气体，第一气体包括含氮成分和或含氢成分的气体，避免第一气体和下电极的材料发生化合反应。在本公开中，通过含氮成分和或含氢成分的气体刻蚀硬掩膜层，刻蚀产物与下电极的材料不反应，避免了下电极的材料损耗，以使形成的电容结构具有更高的电容存储能力。
本发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于， 所述半导体结构的制作方法包括： 提供初始结构，所述初始结构包括叠层结构以及形成于所述叠层结构中的多个电容孔，所述电容孔贯穿所述叠层结构，每个所述电容孔中形成有下电极； 形成硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖所述初始结构的顶面； 通过刻蚀气体刻蚀部分所述硬掩膜层，在所述硬掩膜层中形成多个第一开口，每个所述第一开口暴露出所述叠层结构的部分顶面以及至少一个所述下电极的部分顶面； 所述刻蚀气体包括第一气体，所述第一气体包括含氮成分和或含氢成分的气体，避免所述第一气体和所述下电极的材料发生化合反应； 所述硬掩膜层包括第一材料，在放电条件下，所述第一材料与所述第一气体被电离产生的等离子体反应，生成挥发性物质，所述挥发性物质以及所述第一气体电离产生的等离子体与所述下电极的材料均不发生化学反应。
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