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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于垂直三维(3D)存储器的单晶水平存取装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334836B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111112907.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权用于垂直三维(3D)存储器的单晶水平存取装置是由刘海涛;李时雨设计研发完成，并于2021-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于垂直三维(3D)存储器的单晶水平存取装置在说明书摘要公布了：本申请案涉及用于垂直三维3D存储器的单晶水平存取装置。一种垂直堆叠的存储器单元阵列具有水平定向的存取装置，所述水平定向的存取装置具有通过沟道区分离的第一源极漏极区及第二源极漏极区及与所述沟道区对置的栅极，所述垂直定向的存取线耦合到所述栅极且通过栅极电介质与沟道区分离。所述存储器单元具有外延生长单晶硅以填充第一水平开口且收容与导电材料电接触的第一源极漏极且形成整体水平定向的导电数字线的部分。所述存储器单元还具有耦合到所述第二源极漏极区的水平定向的存储节点及耦合到所述第一源极漏极区的水平定向的数字线。垂直主体接点经形成为与所述水平定向的存取装置中的一或多者的主体区直接电接触且通过电介质与所述第一源极漏极区及所述水平定向的数字线分离。

本发明授权用于垂直三维(3D)存储器的单晶水平存取装置在权利要求书中公布了：1.一种用于形成具有水平定向的存取装置901及垂直定向的存取线103、203、303的垂直堆叠的存储器单元110阵列101的方法，其包括： 在重复迭代中垂直沉积第一电介质材料430、530、630、730、830、牺牲材料432、532、632、732、832及第二电介质材料433、533、633、733、833的交替层以形成垂直堆叠401； 使用第一蚀刻剂工艺形成第一垂直开口471以暴露所述垂直堆叠401中的垂直侧壁414、514； 从所述第一垂直开口471选择性回蚀所述垂直堆叠401的第一区中的所述牺牲材料432、532、632、732、832的第一部分第一水平长度476以形成第一水平开口473； 外延生长单晶硅487、787、887以填充所述第一垂直开口471及所述第一水平开口473； 选择性蚀刻所述单晶硅487、787、887以改造所述第一垂直开口471； 选择性蚀刻所述第二电介质材料433、533、633、733、833以形成从所述第一垂直开口471向后延伸第二长度489的第二水平开口488；及 在所述第一水平开口473中的所述单晶硅487、787、887的顶面415中气相掺杂第一掺杂剂以形成第一源极漏极区321。

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