东京毅力科创株式会社彼得·文特泽克获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利用于干式蚀刻化合物材料的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114175215B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080054139.8，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权用于干式蚀刻化合物材料的方法是由彼得·文特泽克;阿洛科·兰詹设计研发完成，并于2020-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于干式蚀刻化合物材料的方法在说明书摘要公布了：披露了一种用于处理基底的方法，该方法包括：在真空处理室中接收基底。该基底包括布置在该基底上的III‑V膜层。该III‑V膜层包括暴露表面，该暴露表面下面的内部部分，以及以下中的一种或多种：Al、Ga、In、N、P、As、Sb、Si或Ge。该方法进一步包括：使用基于氢的等离子体处理改变该III‑V膜层的该暴露表面和该内部部分的一部分的化学组成，以形成该III‑V膜层的经改变部分；使用基于氯的等离子体处理去除该III‑V膜层的该经改变部分；以及重复该III‑V膜层的该改变和去除，直到从该基底去除该III‑V膜层的预先确定量为止。
本发明授权用于干式蚀刻化合物材料的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于处理基底的方法，该方法包括： 在真空处理室中接收基底，该基底包括布置在该基底上的III-V膜层，该III-V膜层包括 暴露表面， 该暴露表面下面的内部部分，以及 以下中的一种或多种：Al、Ga、In、N、P、As、Sb、Si或Ge； 使用基于氢的等离子体处理改变该III-V膜层的该暴露表面和该内部部分的一部分的化学组成，以形成该III-V膜层的经改变部分； 使用基于氯的等离子体处理去除该III-V膜层的该经改变部分；以及 重复该III-V膜层的该改变和去除，直到从该基底去除该III-V膜层的预先确定量为止。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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