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珠海越亚半导体股份有限公司陈先明获国家专利权

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龙图腾网获悉珠海越亚半导体股份有限公司申请的专利埋嵌封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114093770B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111258705.X,技术领域涉及:H10W70/05;该发明授权埋嵌封装结构及其制作方法是由陈先明;洪业杰;黄本霞;黄高设计研发完成,并于2021-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

埋嵌封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种埋嵌封装结构及其制作方法,该方法包括以下步骤:提供设置有第一金属种子层的承载板;在第一金属种子层上加工得到基板;去除承载板,得到基板,并在基板上加工得到贯穿基板的第一空腔和第二空腔;在第一空腔内装设第一元器件,在第二空腔内装设连接软板,并利用感光型绝缘材料在基板的第二侧加工得到第二绝缘层;在基板的第一侧加工得到第二线路层,并在第二线路层上装设第二元器件;通过连接软板弯折基板,使基板的第一侧形成小于180度的夹角,并利用封装材料对基板的第一侧进行封装处理,得到封装层。本发明的埋嵌封装结构及其制作方法,能够缩小封装体在X方向和Y方向上的尺寸,有利于封装体的小型化和高密度集成化。

本发明授权埋嵌封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种埋嵌封装结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤: 提供承载板,所述承载板上设置有第一金属种子层; 在所述第一金属种子层上加工得到基板,所述基板包括第一线路层、第一金属柱和第一绝缘层,所述第一线路层和所述第一金属柱均位于所述第一绝缘层内,所述第一金属柱还位于所述第一线路层上; 去除所述承载板,得到所述基板,并在所述基板上加工得到贯穿所述基板的第一空腔和第二空腔; 在所述第一空腔内装设第一元器件,在所述第二空腔内装设连接软板,并利用感光型绝缘材料在所述基板的第二侧加工得到第二绝缘层,以固定所述第一元器件和所述连接软板; 在所述基板的第一侧加工得到第二线路层,并在所述第二线路层上装设第二元器件,以使所述第一金属柱和所述第一元器件通过所述第二线路层分别与所述第二元器件建立电性连接关系; 通过所述连接软板弯折所述基板,使所述基板的第一侧形成小于180度的夹角,并利用封装材料对所述基板的第一侧进行封装处理,得到封装层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人珠海越亚半导体股份有限公司,其通讯地址为:519175 广东省珠海市斗门区珠峰大道北3209号FPC厂房;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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