长江存储科技有限责任公司陈亮获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种3D NAND存储器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038861B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111371139.3，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权一种3D NAND存储器件及其制造方法是由陈亮;黄诗琪;刘威;王言虹设计研发完成，并于2021-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种3D NAND存储器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种3DNAND存储器件及其制造方法，多个存储区域通过伪存储区域进行分隔，刻蚀堆叠层以在伪存储区域中形成多个栅线隔离缝隙和伪沟道孔，通过在伪沟道孔中形成绝缘层，并刻蚀绝缘层得到贯穿绝缘层至衬底的连接孔，在连接孔中填充金属，以在伪沟道孔中形成接触插塞，最终通过多个接触插塞形成从3DNAND存储器件的一侧表面至相对的另一侧表面的电连接。由此可见，本申请通过在伪沟道孔中形成接触插塞，能够在3DNAND存储器件中形成足够的接触插塞，并且能够避免降低存储区域占据存储器件的面积，提高存储器件的性能。
本发明授权一种3D NAND存储器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种3DNAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有牺牲层和介质层交替层叠的堆叠层； 刻蚀所述堆叠层，以在所述堆叠层中形成多个栅线隔离缝隙和多个伪沟道孔，所述栅线隔离缝隙和所述伪沟道孔贯穿所述堆叠层至所述衬底，所述多个栅线隔离缝隙和多个伪沟道孔形成在伪存储区域，所述伪存储区域将所述堆叠层分为多个存储区域； 向所述伪沟道孔填充绝缘材料，以在所述伪沟道孔中形成第一绝缘层； 刻蚀所述第一绝缘层，形成连接孔，所述连接孔贯穿所述第一绝缘层至所述衬底； 进行所述连接孔的金属填充，在所述伪沟道孔中形成接触插塞； 通过所述接触插塞形成电连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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