爱思开海力士有限公司李南宰获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体装置和半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990880B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110332502.4，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权半导体装置和半导体装置的制造方法是由李南宰设计研发完成，并于2021-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：层叠结构，其包括交替地层叠的多个导电图案和多个层叠绝缘层；沟道结构，其穿透层叠结构；隧道绝缘层，其围绕沟道结构；单元存储图案，其围绕隧道绝缘层；以及虚设存储图案，其围绕隧道绝缘层，虚设存储图案与单元存储图案间隔开。导电图案包括与隧道绝缘层接触的选择导电图案。
本发明授权半导体装置和半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，该半导体装置包括： 层叠结构，该层叠结构包括交替地层叠的多个导电图案和多个层叠绝缘层； 沟道结构，该沟道结构穿透所述层叠结构； 隧道绝缘层，该隧道绝缘层围绕所述沟道结构； 单元存储图案，该单元存储图案围绕所述隧道绝缘层；以及 虚设存储图案，该虚设存储图案围绕所述隧道绝缘层，该虚设存储图案与所述单元存储图案间隔开， 其中，所述导电图案包括用作选择线并与所述隧道绝缘层接触的选择导电图案，并且 其中，所述隧道绝缘层设置在所述选择导电图案与所述沟道结构之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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