台湾积体电路制造股份有限公司苏怡年获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利具有气隙的中段制程互连结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948495B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110387424.8，技术领域涉及：H10W20/48；该发明授权具有气隙的中段制程互连结构及其制造方法是由苏怡年;谢志宏设计研发完成，并于2021-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有气隙的中段制程互连结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及具有气隙的中段制程互连结构及其制造方法。本文公开了实现减小的电容和或电阻的中段制程MOL互连以及用于形成该MOL互连的相应技术。示例性MOL互连结构包括布置在第一绝缘体层中的器件级接触件和布置在第一绝缘体层之上的第二绝缘体层中的钌结构。器件级接触件与集成电路特征物理接触，并且钌结构与器件级接触件物理接触。气隙将钌结构的侧壁与第二绝缘体层隔开。钌结构的顶表面低于第二绝缘体层的顶表面。布置在第三绝缘体层中的通孔延伸得低于第二绝缘体层的顶表面以与钌结构物理接触。虚设接触间隔件层的剩余部分可以将第一绝缘体层和第二绝缘体层隔开。
本发明授权具有气隙的中段制程互连结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 中段制程互连结构，具有： 器件级接触件，其布置在第一绝缘体层中，其中，所述器件级接触件物理接触集成电路IC特征， 钌结构，其布置在第二绝缘体层中，所述第二绝缘体层布置在所述第一绝缘体层之上，其中，所述钌结构物理接触所述器件级接触件， 气隙，其将所述钌结构的侧壁与所述第二绝缘体层隔开；以及 虚设接触间隔件层的剩余部分，布置在所述第一绝缘体层与所述第二绝缘体层之间并将所述第一绝缘体层和所述第二绝缘体层隔开，其中，所述虚设接触间隔件层的剩余部分具有的蚀刻选择性高于所述钌结构和所述第二绝缘体层的蚀刻选择性。
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