三星电子株式会社裵德汉获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利集成电路器件及制造集成电路器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113782515B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110397525.3，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权集成电路器件及制造集成电路器件的方法是由裵德汉;金盛民;朴柱勋;李留利;郑润永;洪秀妍设计研发完成，并于2021-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路器件及制造集成电路器件的方法在说明书摘要公布了：集成电路器件可以包括：鳍型有源区，在衬底上在第一水平方向上延伸；栅极线，在所述鳍型有源区上在第二水平方向上延伸；源漏区，在所述鳍型有源区上并且与所述栅极线相邻；以及源漏接触图案，连接到所述源漏区。所述源漏接触图案可以包括：第一部分和第二部分，所述第一部分具有第一高度，并且所述第二部分具有小于所述第一高度的第二高度。所述源漏接触图案可以包括：金属插塞，在所述第一部分和所述第二部分中；以及导电阻挡膜，在所述第一部分和所述第二部分中在所述金属插塞的侧壁上。所述第二部分中的导电阻挡膜的第一顶表面低于所述第二部分中的金属插塞的顶表面。
本发明授权集成电路器件及制造集成电路器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路器件，包括： 鳍型有源区，在衬底上在第一水平方向上延伸； 栅极线，在所述鳍型有源区上在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸； 源漏区，在所述鳍型有源区上并且与所述栅极线相邻；以及 源漏接触图案，电连接到所述源漏区并且包括第一部分和第二部分，所述第一部分在竖直方向上具有第一高度，所述第二部分在所述竖直方向上具有小于所述第一高度的第二高度， 其中，所述源漏接触图案包括金属插塞和导电阻挡膜，所述金属插塞在所述第一部分和所述第二部分中，并且所述导电阻挡膜在所述第一部分和所述第二部分中在所述金属插塞的侧壁上，并且相对于所述衬底，所述第二部分中的所述导电阻挡膜的第一顶表面低于所述第二部分中的所述金属插塞的顶表面。
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