京东方科技集团股份有限公司李彦松获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利功能材料、发光基板及其制备方法和发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112928228B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110111865.5，技术领域涉及：H10K50/15；该发明授权功能材料、发光基板及其制备方法和发光装置是由李彦松;吴海东;王蓓;杜小波设计研发完成，并于2021-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本功能材料、发光基板及其制备方法和发光装置在说明书摘要公布了：本公开涉及照明和显示技术领域，尤其涉及一种具有空穴注入和或空穴传输功能的材料、发光基板及其制备方法和发光装置。用于解决相关技术中通过蒸镀形成功能层时容易发生结晶堵口的问题。一种具有空穴注入和或空穴传输功能的材料，包括：基质材料；以及掺杂在所述基质材料中的结晶抑制剂；其中，所述结晶抑制剂能够抑制所述基质材料在蒸镀过程中结晶，且所述结晶抑制剂具有空穴注入和或空穴传输功能。
本发明授权功能材料、发光基板及其制备方法和发光装置在权利要求书中公布了：1.一种具有空穴注入和或空穴传输功能的材料，其特征在于，包括： 基质材料；以及 掺杂在所述基质材料中的p型掺杂材料； 掺杂在所述基质材料中的结晶抑制剂；所述结晶抑制剂选自N,N'-二苯基-N,N'-二3-甲基苯基-1,1'-联苯-4,4'-二胺； 其中，所述结晶抑制剂能够抑制所述基质材料在蒸镀过程中结晶，且所述结晶抑制剂具有空穴注入和或空穴传输功能；以所述具有空穴注入和或空穴传输功能的材料的重量份为100份为基准，所述基质材料的重量份为90份~99份；所述结晶抑制剂的重量份为1份~10份； 所述基质材料包括空穴注入材料和空穴传输材料中的至少一种； 所述空穴注入材料选自2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲和三4-溴苯基六氯锑酸铵中的任一种或两种的混合材料； 所述空穴传输材料选自N,N'-二1-萘基-N,N'-二苯基-1,1'-联苯-4-4'-二胺。
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