苏州工业园区雨竹半导体有限公司刘峰获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州工业园区雨竹半导体有限公司申请的专利提高刻蚀机稳定性用腔室辅助结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN224111599U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202521024341.2,技术领域涉及:H10P72/00;该实用新型提高刻蚀机稳定性用腔室辅助结构是由刘峰;吴铭钦设计研发完成,并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高刻蚀机稳定性用腔室辅助结构在说明书摘要公布了:本实用新型涉及刻蚀机技术领域,公开了提高刻蚀机稳定性用腔室辅助结构,包括腔体和气体入口,所述腔体上内壁中心处设有屏蔽罩,所述屏蔽罩外侧中心靠上处设有耦合线圈,所述腔体下内壁中心处设有支撑台,所述支撑台上端面中心处设有基片,所述支撑台上端面中心处设有辅助装置,所述辅助装置包括环形块,所述环形块外侧中心处呈上下排列设有多个通孔,所述环形块一端部处设有第一磁块,所述环形块另一端部处设有第二磁块,所述第一磁块与第二磁块之间相互吸附,所述环形块下端面中心处设有插环。本实用新型中,通过辅助装置使其能够提高刻蚀的均匀性和一致性,从而提高了刻蚀工艺稳定性。
本实用新型提高刻蚀机稳定性用腔室辅助结构在权利要求书中公布了:1.提高刻蚀机稳定性用腔室辅助结构,包括腔体1和气体入口2,所述气体入口2设置在腔体1上端面中心处,其特征在于:所述腔体1上内壁中心处设有屏蔽罩3,所述屏蔽罩3外侧中心靠上处设有耦合线圈4,所述腔体1下内壁中心处设有支撑台5,所述支撑台5上端面中心处设有基片6,所述腔体1前端面中心靠下处设有密封门7,所述支撑台5上端面中心处设有辅助装置8; 所述辅助装置8包括环形块801,所述环形块801设置在支撑台5上端面处,所述环形块801外侧中心处呈上下排列设有多个通孔802,所述环形块801一端部处设有第一磁块803,所述环形块801另一端部处设有第二磁块804,所述第一磁块803与第二磁块804之间相互吸附,所述环形块801下端面中心处设有插环805。
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