杭州昱芯微电子有限公司王西政获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州昱芯微电子有限公司申请的专利一种调节沟槽栅MOSFET的内置Rg的结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224111566U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520392568.6，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种调节沟槽栅MOSFET的内置Rg的结构是由王西政;周光挺设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种调节沟槽栅MOSFET的内置Rg的结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体芯片技术领域，具体为一种调节沟槽栅MOSFET的内置Rg的结构，包括沿竖直方向从下到上至少连续设置并与芯片本体为一体的硅底衬、外延层以及绝缘层，外延层和绝缘层之间设置有与芯片本体上栅极连通的若干多晶导出道，且若干多晶导出道之间通过多晶连接道连通，绝缘层上贯穿设置有若干与多晶连接道连通的接触孔，绝缘层上设置有金属块；本实用新型通过控制多晶连接道上多晶与绝缘层外金属连接的接触面积来控制二者的电阻值，具体的是，通过控制接触孔的数量以及尺寸控制凸起的数量以及尺寸来控制二者之间的的电阻值，进而精准控制接触孔电阻Rc‑chain的值。
本实用新型一种调节沟槽栅MOSFET的内置Rg的结构在权利要求书中公布了：1.一种调节沟槽栅MOSFET的内置Rg的结构，包括沿竖直方向从下到上至少连续设置并与芯片本体为一体的硅底衬17、外延层18以及绝缘层19，其特征在于：所述外延层18和绝缘层19之间设置有与芯片本体上栅极连通的若干多晶导出道22，且若干所述多晶导出道22之间通过多晶连接道16连通，所述绝缘层19上贯穿设置有若干与多晶连接道16连通的接触孔20，所述绝缘层19上设置有金属块14，且所述金属块14设置有向下深入接触孔20并与多晶连接道16抵接的凸起15，所述金属块14与外界电信连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州昱芯微电子有限公司，其通讯地址为：311200 浙江省杭州市萧山区宁围街道平澜路2118号浙江大学杭州国际科创中心水博园区B10-601室-1(自主申报)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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