北京超摩科技有限公司张俊获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超摩科技有限公司申请的专利一种基于芯粒的多层级存储电路和电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224111564U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520173575.7，技术领域涉及：H10B80/00；该实用新型一种基于芯粒的多层级存储电路和电子设备是由张俊;邹烈财;邹桐设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于芯粒的多层级存储电路和电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种基于芯粒的多层级存储电路和电子设备，应用于电子技术领域。该电路包括封装基板和计算裸片，以及多组内存裸片，计算裸片安装在封装基板上，多组内存裸片分别与计算裸片连接，多组内存裸片分别采用不同的封装方式封装。本申请提供的基于芯粒的多层级存储电路，可以根据实际需求在该电路中设置相应的内存裸片，以兼顾计算裸片的容量需求和带宽需求。
本实用新型一种基于芯粒的多层级存储电路和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种基于芯粒的多层级存储电路，其特征在于，包括：封装基板和计算裸片，以及多组内存裸片和中介层； 所述中介层安装在所述封装基板上，所述计算裸片通过所述中介层间接安装在所述封装基板上； 所述多组内存裸片包括第一内存裸片组，所述第一内存裸片组中的内存裸片采用的封装方式为2.5D封装；所述第一内存裸片组中的内存裸片安装在所述中介层上，所述第一内存裸片组中的内存裸片通过所述中介层与所述计算裸片连接； 所述多组内存裸片包括第四内存裸片组；所述第四内存裸片组中的内存裸片采用的封装方式为3D封装，所述第四内存裸片组中的内存裸片堆叠在所述计算裸片之上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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