嘉禾县粤嘉电子技术有限公司陈石平获国家专利权
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龙图腾网获悉嘉禾县粤嘉电子技术有限公司申请的专利一种低损耗高端理想二极管获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN224111153U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520758183.7,技术领域涉及:H03K17/081;该实用新型一种低损耗高端理想二极管是由陈石平;刘晓微;郑健超设计研发完成,并于2025-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低损耗高端理想二极管在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种低损耗高端理想二极管,包括高端负载开关和比较器,所述高端负载开关和比较器组成整体电路,所述高端负载开关由主管和辅管组成,所述主管为PMOS管,所述辅管为NMOS管或者NPN管。本电路具有防止倒灌功能,可以保护前级电路;具有较低的损耗,静态电流损耗小;使用高端负载开关和比较器,电路简单,成本很低,实用性强;与传统功率二极管或三极管控制电流损耗毫安级相比,静态电流损耗小,且不存在倒灌电流;电路降低了设备的静态损耗,延长了电池的工作时间,设备维护成本,损耗降低大,适合于物联网NB‑IoT超低损耗理想二极管电路应用,电路很简单且具有很低成本优势。
本实用新型一种低损耗高端理想二极管在权利要求书中公布了:1.一种低损耗高端理想二极管,包括高端负载开关和比较器,其特征在于:所述高端负载开关和比较器组成整体电路,所述高端负载开关由主管和辅管组成,所述主管为PMOS管,所述辅管为NMOS管或者NPN管。
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