无锡市乾野微纳科技有限公司吉炜获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡市乾野微纳科技有限公司申请的专利一种MOSFET检测装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224109592U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520615301.9，技术领域涉及：G01R31/26；该实用新型一种MOSFET检测装置是由吉炜设计研发完成，并于2025-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOSFET检测装置在说明书摘要公布了：本实用新型涉及MOSFET生产技术领域，尤其是一种MOSFET检测装置，包括检测台，在所述检测台的顶部分布有若干个检测座，所述检测座的顶部两侧设有夹持件，一对所述夹持件通过复位结构进行开合，用于夹持MOS管以及对检测插口进行闭合保护；其中，位于所述夹持件的底部设有止挡结构，一对所述夹持件通过所述止挡结构展开，以便于对检测插口进行除尘清理，一对夹持件在复位结构的作用下不仅能够对MOS管进行夹持，还能够对检测座的检测插口进行闭合，防止灰尘等异物堆积，而且长时间使用之后还可以直接转动夹持件，夹持件转动到一定程度后其底部的延伸部与凸起结构抵触，达到阻止夹持件复位的目的，以便于对检测插口进行除尘维护。
本实用新型一种MOSFET检测装置在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET检测装置，包括检测台1，其特征在于：在所述检测台1的顶部分布有若干个检测座2，所述检测座2的顶部两侧设有夹持件3，一对所述夹持件3通过复位结构4进行开合，用于夹持MOS管以及对检测插口进行闭合保护； 其中，位于所述夹持件3的底部设有止挡结构5，一对所述夹持件3通过所述止挡结构5展开，以便于对检测插口进行除尘清理。
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