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龙图腾网获悉瑞芯微电子股份有限公司申请的专利一种防止负载过大导致电压跌落的开关控制电路和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113890523B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111019133.X，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权一种防止负载过大导致电压跌落的开关控制电路和方法是由叶青海;庄惠明设计研发完成，并于2021-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种防止负载过大导致电压跌落的开关控制电路和方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种防止负载过大导致电压跌落的开关控制电路和方法，包括开关电路和控制电路；开关电路包括PMOS管和第一电容，PMOS管的源极与供电输入端电连接，PMOS管的漏极同时与第一电容的一端和供电输出端电连接，控制电路包括开关三极管，开关三极管的基极与信号控制端电连接，开关三极管的集电极与PMOS管的栅极电连接，开关三极管的射极和第一电容的另一端均接地；信号控制端的开关控制信号为PWM信号，PWM信号的占空比随负载瞬间电流的增大而增大且频率随负载瞬间电流的增大而减小。本发明根据负载设备的负载瞬间电流来灵活控制PWM信号的频率和占空比，无需增加硬件且无需根据负载需求更换第一电容，从而能兼容不同的负载设备且降低硬件成本。

本发明授权一种防止负载过大导致电压跌落的开关控制电路和方法在权利要求书中公布了：1.一种防止负载过大导致电压跌落的开关控制电路，其特征在于，包括开关电路和控制电路； 所述开关电路包括PMOS管和第一电容，所述PMOS管的源极与供电输入端电连接，所述PMOS管的漏极同时与第一电容的一端和供电输出端电连接，所述第一电容的另一端接地； 所述控制电路包括开关三极管，所述开关三极管的基极与信号控制端电连接，所述开关三极管的集电极与所述PMOS管的栅极电连接，所述开关三极管的射极接地； 所述信号控制端的开关控制信号为PWM信号，通过所述PWM信号的高低变化来控制所述开关三极管的导通和截止，从而控制所述PMOS管的导通和截止，所述PWM信号的占空比随负载瞬间电流的增大而增大且频率随负载瞬间电流的增大而减小， 其中当所述PWM信号为高电平时，所述开关三极管导通，使得所述PMOS管导通，所述供电输入端的输入电压输出至所述供电输出端所连接的负载设备，并且当所述PWM信号为低电平时，所述开关三极管截止，使得所述PMOS管截止，所述输入电压停止输出，如此循环，直至所述负载设备的负载瞬间电流到达工作电流时，所述信号控制端保持高电平信号。

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