日月光半导体制造股份有限公司叶上暐获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113206070B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110257627.5，技术领域涉及：H10W70/652；该发明授权半导体封装结构及其形成方法是由叶上暐;张谦维;黄敏龙设计研发完成，并于2021-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构，其特征在于，包括：中介层，具有上表面；重分布线RDL，位于中介层的上表面上；硅光芯片，位于重分布线上；第一管芯，与硅光芯片横向偏移并具有朝上的主动表面，并且第一管芯内埋于中介层的上表面下方的腔体内，其中，第一管芯的主动表面通过重分布线与硅光芯片电连接。
本发明授权半导体封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括： 中介层，具有上表面； 重分布线RDL，位于所述中介层的所述上表面上，并且所述重分布线沿着所述中介层的所述上表面横向延伸； 硅光芯片，位于所述重分布线上，其中，凸块金属直接连接在所述重分布线上和所述硅光芯片下方，以电连接所述硅光芯片与所述重分布线连接； 第一管芯，与所述硅光芯片横向偏移并具有朝上的主动表面，并且所述第一管芯内埋于所述中介层的所述上表面下方的腔体内，其中，所述第一管芯的主动表面通过所述重分布线与所述硅光芯片电连接； 扇出封装件，设置于所述重分布线和所述第一管芯上方，所述扇出封装件包括堆叠的多层管芯，其中，所述多层管芯包括最下层中的第二管芯以及间隔地位于所述第二管芯上方的第三管芯，所述多层管芯中的所述第二管芯在所述重分布线上与所述硅光芯片横向间隔设置，并且与所述第一管芯相对设置并电连接， 所述多层管芯中的所述第三管芯通过所述扇出封装件内的重分布线和在所述扇出封装件内垂直延伸的导电柱以及穿过所述中介层的贯通孔TSV与所述硅光芯片电连接。
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