台湾积体电路制造股份有限公司蔡庆威获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112582409B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010189923.1，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体装置结构的形成方法是由蔡庆威;黄禹轩;程冠伦;王志豪;曹敏;张荣宏;张罗衡;王培勋;江国诚设计研发完成，并于2020-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构的形成方法在说明书摘要公布了：此处提供半导体装置结构的形成方法。方法包括：形成第一栅极堆叠与第二栅极堆叠于基板上。基板具有基底以及基底上的第一鳍状结构与第二鳍状结构，且第二鳍状结构比第一鳍状结构宽。方法包括部分地移除第一栅极堆叠未覆盖的第一鳍状结构与第二栅极堆叠未覆盖的第二鳍状结构。方法包括形成内侧间隔物层于第一栅极堆叠未覆盖的第一鳍状结构上。方法包括分别形成第一应力源与第二应力源于内侧间隔物层上与第二栅极堆叠未覆盖的第二鳍状结构上。
本发明授权半导体装置结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构的形成方法，包括： 形成一第一栅极堆叠与一第二栅极堆叠于一基板上，其中该基板具有一基底以及该基底上的一第一鳍状结构与一第二鳍状结构，该第二鳍状结构比该第一鳍状结构宽，该第一栅极堆叠包覆该第一鳍状结构的一第一上侧部分，而该第二栅极堆叠包覆该第二鳍状结构的一第二上侧部分； 部分地移除该第一栅极堆叠未覆盖的该第一鳍状结构与该第二栅极堆叠未覆盖的该第二鳍状结构； 形成一内侧间隔物层于该第一栅极堆叠未覆盖的该第一鳍状结构上；以及 分别形成一第一应力源与一第二应力源于该内侧间隔物层上与该第二栅极堆叠未覆盖的该第二鳍状结构上，其中该第一应力源部分延伸至该内侧间隔物层中。
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