台湾积体电路制造股份有限公司杨挺立获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110544669B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910005239.0，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体装置结构及其形成方法是由杨挺立;黄伟立;杨胜斌;陈季丞;黄宏麟;古进誉;陈承先设计研发完成，并于2019-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构及其形成方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置结构及其形成方法。此方法包含形成第一导线于基板之上。此方法包含形成第一保护盖于第一导线的第一部份之上。第一保护盖和第一导线由不同导电材料形成。此方法包含形成第一感光介电层于基板、第一导线、和第一保护盖之上。此方法包含形成第一开口于第一感光介电层中且于第一保护盖之上。此方法包含形成导通孔结构和第二导线于第一导线之上。导通孔结构位于第一开口中且于第一保护盖之上，并且第二导线位于导通孔结构和第一感光介电层之上。
本发明授权半导体装置结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构的形成方法，包括： 形成一第一导线于一基板之上； 形成一第一保护盖于该第一导线的一第一部分之上，其中该第一保护盖和该第一导线由不同导电材料形成； 形成一第一感光介电层于该基板、该第一导线、和该第一保护盖之上； 形成一第一开口于该第一感光介电层中，其中该第一开口部分暴露出该第一保护盖； 形成一导通孔结构和一第二导线于该第一导线之上，其中该导通孔结构位于该第一开口中，且该第二导线位于该导通孔结构和该第一感光介电层之上； 在形成该导通孔结构和该第二导线之后，形成一第二保护盖于该第二导线上，其中该第二保护盖和该第二导线由不同导电材料形成； 形成一第二感光介电层于该第一感光介电层、该第二导线和该第二保护盖上；以及 形成一第二开口于该第二感光介电层中，其中该第二开口部分地暴露出该第二保护盖。
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