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龙图腾网获悉创崎新能源技术(上海)有限公司申请的专利基于阈值电压变化的碳化硅器件状态检测电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121633764B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610156388.7，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权基于阈值电压变化的碳化硅器件状态检测电路是由刘聪;严颖怡;陈晨;朱凯文;司广超;阮赛毛;俞嘉骏设计研发完成，并于2026-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于阈值电压变化的碳化硅器件状态检测电路在说明书摘要公布了：本发明公开了基于阈值电压变化的碳化硅器件状态检测电路，涉及电力电子技术领域，面向SiC功率器件在线阈值电压提取与状态评估。电路以半桥结构为载体，通过下管栅源电压的跨导运放积分，在下管积分节点形成积分电压，并利用半桥中点节点电压突变经高压二极管与限流电阻转换为漏源事件检测节点的比较器翻转信号，以限定积分时间窗并触发复位开关MOS管对积分电容放电复位，获得积分电压峰值与事件时延。控制单元仅采集所述事件时延与积分电压峰值两变量，依据标定的一致性关系进行门控并细分输出异常类型，实现有效测量筛选、误触发与积分复位异常诊断及阈值电压漂移统计，提高在线检测的稳定性与工程可用性。

本发明授权基于阈值电压变化的碳化硅器件状态检测电路在权利要求书中公布了：1.一种基于阈值电压变化的碳化硅器件状态检测电路，其特征在于，包括： 直流母线电压源UDC与母线电容C3并联连接于直流母线正极节点NDC+与直流母线负极节点NDC-之间；上管S1的漏极连接NDC+、源极连接半桥中点节点NSW，下管S2的漏极连接NSW、源极连接NDC-；下管驱动源V2经下管栅极电阻R4连接下管S2栅极节点NG2；跨导运放OTA2的输入端连接NG2与下管S2源极节点NS2，跨导运放OTA2的输出端连接下管积分节点NINT2，下管积分电容C2连接于NINT2与NDC-之间以形成积分电压VC2；高压二极管D6与下管限流电阻R3串联连接于NSW与下管漏源事件检测节点NSEN2之间，微小电流源I2连接VDD与NSEN2之间，钳位二极管D4、钳位二极管D5分别连接NSEN2与VCLAMP+、VCLAMP-之间；比较器U2的输入端连接NSEN2与比较器参考电压节点VREF，其输出端为下管比较器输出节点COMP2；缓冲器BUF2的输入端连接COMP2、输出端连接下管复位开关MOS管M2的栅极，M2并联连接于NINT2与NDC-之间；控制单元分别与V2、COMP2及NINT2电连接，用于记录开通指令时间戳t0与比较器翻转时间戳t2得到事件时延Δt，并在t2采集积分电压峰值VC_peak、计算残差r=VC_peak-fΔt，在|残差r|≤ε时输出有效测量标志并依据换算关系gVC_peak得到栅极阈值电压Vth，在残差r-ε时输出异常类型1标志，在残差r+ε时输出异常类型2标志。

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