合肥芯科电子材料有限公司王森获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥芯科电子材料有限公司申请的专利一种半导体光刻胶剥离液及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121613690B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610148843.9，技术领域涉及：G03F7/42；该发明授权一种半导体光刻胶剥离液及其制备方法是由王森;张建元;凌礼照;徐鹏;梁智广;尹浩设计研发完成，并于2026-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体光刻胶剥离液及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体光刻胶剥离液及其制备方法，涉及半导体芯片制造技术领域。所述一种半导体光刻胶剥离液，所述剥离液由以下成分组成：有机胺、缓蚀添加剂、极性有机溶剂；所述缓蚀添加剂由异丙基N‑苯基硫代氨基甲酸酯与水杨酸甲酯混合得到。所述异丙基N‑苯基硫代氨基甲酸酯与水杨酸甲酯的质量比≥2。缓蚀添加剂基于异丙基N‑苯基硫代氨基甲酸酯与水杨酸甲酯的混合机制，在基底表面形成的保护膜，可使铝层腐蚀率≤0.8Åmin，银层腐蚀率≤0.5Åmin，显著提高基底的保护效果。
本发明授权一种半导体光刻胶剥离液及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体光刻胶剥离液的制备方法，其特征在于，以质量百分比计，所述剥离液由以下成分组成：有机胺30%-40%、缓蚀添加剂1%-3%、余量为极性有机溶剂； 所述缓蚀添加剂由异丙基N-苯基硫代氨基甲酸酯与水杨酸甲酯混合得到； 所述异丙基N-苯基硫代氨基甲酸酯与水杨酸甲酯的质量比≥2； 所述光刻胶剥离液的具体制备步骤为： S1、取12质量的极性有机溶剂置于容器中，加热至40-50℃后，加入水杨酸甲酯，混匀，得到溶液A； S2、取剩余极性有机溶剂置于常温容器中，加入异丙基N-苯基硫代氨基甲酸酯，搅拌至完全溶解，滴加溶液A，混匀，形成混合液，调整混合液温度至室温，得到溶液B； S3、向溶液B中加入有机胺，搅拌至体系完全均一，得到溶液C； S4、取样溶液C检测体系均匀性，合格后过滤，得到剥离液。
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