合肥晶合集成电路股份有限公司刘琦获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种图像传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121586309B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610113824.2，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种图像传感器及其制作方法是由刘琦;张昭;宋明明设计研发完成，并于2026-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种图像传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种图像传感器及其制作方法，属于半导体技术领域。图像传感器包括：衬底，所述衬底内间隔设置多个光电二极管；第一氧化区和第二氧化区，交替设置在相邻所述光电二极管之间的所述衬底内，所述第一氧化区和所述第二氧化区的形状不同，所述第一氧化区和所述第二氧化区关于所述光电二极管不对称；深沟槽隔离结构，设置在所述第一氧化区和所述第二氧化区内；格栅结构，设置在所述光电二极管之间的所述衬底上；以及滤光结构，设置在所述光电二极管上。通过本发明提供的一种图像传感器及其制作方法，能够增加光程，且能避免光线串扰，有效防止光的干涉与折射的发生，提升图像传感器的色纯度、近红外感度和光电转换效率。
本发明授权一种图像传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底内间隔设置多个光电二极管； 第一氧化区和第二氧化区，交替设置在相邻所述光电二极管之间的所述衬底内，所述第一氧化区和所述第二氧化区的形状不同，所述第一氧化区和所述第二氧化区关于所述光电二极管不对称； 深沟槽隔离结构，设置在所述第一氧化区和所述第二氧化区内； 格栅结构，设置在所述光电二极管之间的所述衬底上；以及 滤光结构，设置在所述光电二极管上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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